Wei'an semiconductor transistor de efecto de campo MOS IGBT WMM18N50C4 TO-263

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Marca

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Modelo

WMM18N50C4-Contáctenos

Encapsulación

TO-263

Número de lote

22 +

Tipo de transistor

SJ-MOS C4 del canal N

Corriente de drenaje (Id)

10 A

Resistencia a la conducción de la fuente de drenaje (RDS On)

0,3

Tensión puerta-fuente (Vgs)

± 30

Tiempo de recuperación inversa

170ns

Potencia de disipación máxima

Rango de temperatura de funcionamiento

-55to + 150 °C

Tipo de instalación

Parche

Campo de aplicación

Electrodomésticos

Campo de aplicación

Electrónica Automotriz

Campo de aplicación

Hogar inteligente

Campo de aplicación

Comunicación de red

Campo de aplicación

Equipo de seguridad

Campo de aplicación

Electrónica médica

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666

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555

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Wei'an semiconductor transistor de efecto de campo MOS IGBT WMM18N50C4 TO-263

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