Wei'an semiconductor MOS transistor de efecto de campo IGBT WMK16N65SR TO-220

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Variantes
SKU:694085337455
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Atributos del producto
Marca
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Modelo
WMK16N65SR
Número de lote
22 +
Tipo de transistor
SJ-MOS F2 del canal N
Tensión de drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
8.4A
Resistencia a la conducción de la fuente de drenaje (RDS On)
0,35
Tensión puerta-fuente (Vgs)
± 30
Tiempo de recuperación inversa
260ns
Potencia de disipación máxima
31
Rango de temperatura de funcionamiento
-55to + 150 °C
Tipo de instalación
Parche
Campo de aplicación
Electrodomésticos
Campo de aplicación
Electrónica Automotriz
Campo de aplicación
Hogar inteligente
Campo de aplicación
Comunicación de red
Campo de aplicación
Equipo de seguridad
Campo de aplicación
Electrónica médica

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Categorías