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    Transistor de efecto de campo del MOS del semiconductor de Weian IGBT WML10N65D1 TO-220F

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    Variantes
    SKU:694926727034
    Stock:10000
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    Atributos del producto
    Marca
    Productos relacionados con Weian Semiconductor
    Modelo
    WML10N65D1
    Encapsulación
    TO-220F
    Número de lote
    22 +
    Tipo de transistor
    Canal N VDMOS D1
    Tensión de drenaje-fuente (Vdss)
    650V
    Corriente de drenaje (Id)
    Fibra de vidrio
    Resistencia a la conducción de la fuente de drenaje (RDS On)
    0,95
    Tensión puerta-fuente (Vgs)
    ± 30
    Carga de la puerta (Qg)
    30nc
    Potencia de disipación máxima
    65
    Rango de temperatura de funcionamiento
    -55to + 150 °C
    Tipo de instalación
    Enchufe directo
    Campo de aplicación
    Electrodomésticos
    Campo de aplicación
    Electrónica Automotriz
    Campo de aplicación
    Hogar inteligente
    Campo de aplicación
    Comunicación de red
    Campo de aplicación
    Equipo de seguridad
    Campo de aplicación
    Electrónica médica

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